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Nach Einführung des pn-Übergangs wird das elektrische Verhalten von Halbleiterbauelementen wie Dioden, Bipolar- und MOS-Transistoren, Tunnelbauelementen und Operationsverstärkern qualitativ und quantitativ untersucht.

Folgende Themen werden behandelt:

I. Einführung

  • Motivation

II. Halbleiterdioden

  • pn-Diode, Z-Diode, Schottky-Diode, LED, Fotodiode

III. Bipolartransistor

  • Eigenschaften, Anwendungen

IV. Feldeffekttransistor

  • Eigenschaften, Anwendungen

V. Tunnelbauelemente

  • Eigenschaften, Anwendungen

VI. Operationsverstärker

  • Eigenschaften, Anwendungen
Die Vorlesung wird gemeinsam mit Prof. Dr.-Ing. Konrad Mertens angeboten.
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